在当今科技领域，晶片扮演着至关重要的角色，从人工智慧加速器到智慧型手机，无一不需要仰赖精密的晶片技术。而要制造出这些尖端晶片，就不得不提到 ASML（艾司摩尔）及其独步全球的极紫外光（EUV）曝光技术。然而，面对 ASML 的技术垄断，佳能正试图以奈米压印（NIL）技术开闢另一条道路。
ASML 的 EUV 曝光机堪称工程奇蹟，其运作方式极为複杂。首先，设备会向真空室喷射每秒 5 万滴熔融锡珠。接着，每一滴锡珠会受到两次雷射的冲击：第一次较弱的雷射脉冲将锡珠压扁成微型薄饼，第二次强大的雷射则将其汽化。这个过程会将锡滴转化为高温电浆，温度高达 22 万摄氏度，约为太阳表面温度的 40 倍，并发射出极短波长的 EUV 光。
这些 EUV 光线经过多层超平滑镜面的反射，聚焦于载有晶片电路蓝图的光罩上，最终将设计图案蚀刻到涂有感光化学物质的硅晶圆上。透过这种方式，ASML 的设备得以在晶圆上制造出极其精细的电路结构，实现先进晶片的量产。
目前，台积电、三星和英特尔等晶片制造巨头都高度依赖 ASML 的 EUV 曝光机，以生产 7 奈米及更先进制程的晶片。ASML 在曝光机市场上佔据绝对领先地位，即便在较成熟的制程（14 奈米及以上）领域，其市佔率也超过 90%。
佳能的奈米压印微影NIL技术另闢蹊径
面对 ASML 在 EUV 曝光领域的领先地位，曾经的曝光机巨头佳能选择了另一条道路：奈米压印微影（NIL）技术。NIL 技术的原理类似于印刷机，将电路模板直接压印到晶圆上。理论上，NIL 技术能够以奈米级精度、低成本和小体积挑战 EUV 曝光。
NIL 的流程包括使用电子束刻制母版、滴注液态树脂、以及使用紫外光固化等步骤。佳能声称，其 NIL 设备的成本比 EUV 曝光机低 40%，但 NIL 技术也面临着一些挑战，例如缺陷控制（模板上的微粒可能导致整片晶圆报废）、层间对準精度（需要奈米级的对齐），以及生产效率（目前每小时 110 片，仅为 EUV 曝光的 60%）。
儘管面临挑战，NIL 技术在储存晶片和手机萤幕等领域已经取得了一些突破。佳能光学部门负责人岩本和纪认为，NIL 可以与 EUV 曝光互补，在非精密环节降低成本。随着技术的进步，这种颠覆性的工艺或许能够催生更快、更节能的人工智慧晶片。
总而言之，ASML 的 EUV 曝光技术是当前晶片制造的核心，而佳能的奈米压印微影技术则代表着一种潜在的替代方案。这两种技术的发展都将对未来的晶片产业产生深远的影响。