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随着辉达（NVIDIA）近日公布了未来三代AI伺服器的发展蓝图，新一代HBM（High Bandwidth Memory）记忆体的规格也成为业界关注的焦点。HBM记忆体在AI伺服器中扮演着至关重要的角色，其容量、频率和频宽的提升，直接影响着AI运算的效能。这场由辉达领跑的AI伺服器记忆体大战，不仅是技术的竞赛，更是市场佔有率的争夺。
辉达AI伺服器与HBM记忆体发展蓝图：性能至上的追求
辉达的AI伺服器发展规划中，基于GB300晶片的Blackwell Ultra NVL72将于今年下半年发布，继续採用HBM3E记忆体。而明年下半年的Vera Rubin NVL144将升级为下一代HBM4记忆体。到了2026年下半年的Rubin Ultra NVL576，则会採用加强版的HBM4E记忆体。预计在2028年，採用全新Feynman架构的产品有望首次搭载HBM5记忆体。
辉达对于HBM记忆体的需求不仅仅是容量的增加，更重要的是频宽和速度的提升。AI模型越来越複杂，需要处理的数据量也越来越庞大，因此，HBM记忆体的性能直接关係到AI伺服器的整体效能。辉达的发展蓝图清晰地展现了其对性能的极致追求，也给HBM记忆体原厂带来了巨大的挑战和机遇。
面对辉达对HBM记忆体的强劲需求，SK海力士、三星和美光三大记忆体原厂也纷纷展示了各自的HBM发展规划，积极争夺市场份额。
SK海力士：HBM领头羊的先发优势
SK海力士作为HBM记忆体的领先者，率先推出了48GB大容量的HBM4，採用单Die 24Gb（3GB）的设计，16颗堆叠而成。其数据传输率高达8Gbps，IO位宽为2048-bit，单颗频宽达到2TB/s。SK海力士凭藉其在HBM领域的技术积累和先发优势，有望在未来的市场竞争中保持领先地位。
美光：稳扎稳打，性能稳步提升
美光虽然没有公布过多的细节，但表示其HBM4记忆体的性能将比HBM3E提升50％，预计在2026年开始量产。美光在记忆体领域拥有深厚的技术实力，其稳扎稳打的策略也使其在市场上佔有一席之地。
三星：规格与蓝图并重，全方位布局
三星展示的HBM4记忆体同样採用单Die 24Gb的设计，提供36GB（12堆叠）和24GB（8堆叠）两种容量选择。其数据传输率最高可达9.2Gbps，频宽最高为2.3TB/s。三星的HBM4採用MPGA封装，尺寸为12.8x11毫米，堆叠高度为775微米，能效为每bit 2.3PJ。
在下一代HBM4E方面，三星计划将单Die容量提高到32Gb（4GB），支援8/12/16堆叠，单颗容量最大可达64GB，且高度维持不变。同时，数据传输率将提高到10Gbps，搭配2048-bit位宽，频宽可达2.56TB/s。三星不仅在规格上不断突破，更在蓝图上进行了全方位的布局，展现了其在HBM市场的雄心壮志。
HBM记忆体的应用前景：AI伺服器独佔鳌头
HBM记忆体目前主要应用于AI伺服器，未来预计仍将以AI领域为主。由于成本较高，HBM记忆体短期内不太可能下放到消费级显示卡市场。然而，随着AI技术的不断发展和应用场景的不断扩展，HBM记忆体的需求也将持续增长。
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