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ASML 已经确认，即将出货最新款的 EUV 曝光机 EXE:5200，相比上一代来说，效能更加强大，当然不会卖给中国厂商。

效能提升，更适合 2nm 制程

根据 ASML 官方说法，EXE:5200 是现有初代 High NA EUV 曝光机 EXE:5000 的改进款。它将拥有更高的晶圆吞吐量，EXE:5000 每小时可处理 185 片以上晶圆，而 EXE:5200 的效能预计将更高。这意味着 EXE:5200 能更有效地支援 2nm 制程的量产。

早在之前，ASML 就已宣布英特尔订购了业界首个 TWINSCAN EXE:5200 曝光机。这款曝光机具有高数值孔径，每小时可处理 200 多片晶圆，是极紫外 (EUV) 大批量生产系统的一大进展。英特尔的这项举动，也显示出其在引入 0.55 NA EUV 技术上的决心。

0.55 NA EUV 技术的突破

TWINSCAN EXE:5000 和 EXE:5200 均採用 0.55 数值孔径。相较于前代 EUV 曝光机的 0.33 数值孔径透镜，0.55 NA EUV 在精度上有所提高，能为更小的电晶体功能提供更高解析度的模式。这项技术的突破，将有助于晶片制造商在 2nm 制程上取得更大的进展。

EUV 0.55 NA 的设计目标是从 2025 年开始实现多个未来节点。这将是业界首次部署该技术，随后也将应用于类似密度的记忆体技术。随着 EXE:5200 的推出，ASML 将持续推动半导体技术的发展，为更高阶的晶片制造提供更强大的支持。