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2025年第一季度尚未结束，三星电子已紧锣密鼓地筹备下一阶段的市场策略。据报导，三星电子计划于今年第一季度开始供应改良版HBM3E高频宽记忆体（High-Bandwidth Memory），并预计在第二季度全面提升供应量。

美国出口管制政策下的市场转变

这一策略调整与美国政府实施的尖端半导体出口管制政策息息相关。该政策促使客户需求逐渐转向改良版HBM3E，儘管这在一定程度上可能暂时抑制HBM的整体需求。然而，从第二季度起，市场对12层HBM3E的需求预计将呈现爆炸性增长，增速甚至可能超出先前预期。

为确保充分满足市场需求，三星电子已制定雄心勃勃的计划，旨在将今年全年的HBM位元供应量扩大至去年的两倍。这项扩产计画展现了三星电子在HBM市场的强烈企图心，以及对未来市场前景的乐观预期。

成功打入辉达供应链

另有消息人士透露，三星电子已成功获得向辉达（NVIDIA）供应其8层HBM3E高频宽记忆体晶片的许可。这无疑是三星电子在HBM技术领域的一大进展。儘管面临SK海力士（SK Hynix）和美光科技（Micron Technology）等强劲对手的竞争压力，三星电子仍成功打入辉达供应链，显示其技术实力已获得市场肯定。

三星电子在HBM领域的积极举动和规划，无疑将进一步提升其在半导体晶片市场的竞争力和发展势头。然而，挑战依然存在。三星电子高管指出，儘管2024年第四季度HBM销售额实现了190%的环比增长，但仍未达到预期水平。进入2025年第一季度，HBM收入预计将出现下滑，且需求的不确定性增加。未来HBM的需求走势将主要取决于GPU产品的供应状况以及美国出口管制政策的具体影响。

儘管面临挑战，三星电子仍对HBM市场的未来发展持乐观态度，并预计需求将在2025年第二季度恢复增长。为此，公司已设定目标，即今年HBM的供应量要实现比去年翻一番的壮举。此外，儘管记忆体和IT市场充满不确定性，三星电子仍坚定表示，将继续投资于尖端记忆体技术的研发，以巩固和扩大其在该领域的领先地位。